Czyszczenie przy pomocy CO2 – sucha alternatywa
Czyszczenie przy pomocy zwartego strumienia śniegu CO2 wykorzystuje jako medium czyszczące ciekły dwutlenek węgla, który zostaje rozprężony podczas przejścia przez dyszę. Przy pomocy sprężonego powietrza nadawane jest mu przyspieszenie do prędkości ponaddźwiękowych. Dzięki połączeniu efektów mechanicznych, termicznych i chemicznych, zwarty strumień śniegu CO2 usuwa zabrudzenia przylegające do elementu w postaci warstewki lub cząsteczek w chwili, gdy uderza w powierzchnię niemal każdego materiału – w sposób suchy i nie pozostawiający osadów. Proces ten może być także wykorzystywany do czyszczenia określonych obszarów funkcjonalnych, na przykład powierzchni uszczelniających i spajających, bez konieczności poddawania całego komponentu złożonej obróbce, niezbędnej do uzyskania poziomów czystości wymaganych jedynie dla powierzchni funkcjonalnych. Z powodu rosnących wymagań co do czystości elementów oraz zwiększonego zakresu miniaturyzacji obrabianych elementów, czyszczenie przy pomocy nadkrytycznego dwutlenku węgla staje się coraz bardziej znaczące. Nadkrytycznego, ponieważ dwutlenek węgla jest w tym przypadku wykorzystywany w stanie skupienia, w którym jego charakterystyki fizyczne leżą pomiędzy stanem ciekłym i gazowym. Pozostając w tym stanie, CO2 wykazuje jedynie minimalną lepkość i napięcia powierzchniowe. W ten sposób zanieczyszczenia inne niż polarne, takie jak oleje i smary, mogą zostać usunięte z najdrobniejszych szczelin i porów. W celu usuwania także zanieczyszczeń polarnych (wióry, sole), wykorzystywane są odpowiednie koncepcje systemów, za pomocą których uzyskiwane jest połączenie procesów czyszczenia przy pomocy nadkrytycznego i ciekłego dwutlenku węgla.
Dzięki wykorzystaniu różnych gazów reaktywnych, technologia plazmowa obejmuje szerokie spektrum zastosowań do czyszczenia pojedynczych części oraz dużej ilości wyrobów wszelkiego typu wykonanych ze stali, metali nieżelaznych, tworzyw sztucznych, szkła i ceramiki. Procesy te są najskuteczniejsze w sytuacjach, gdy do usunięcia przeznaczona jest cienka warstwa zanieczyszczeń organicznych. W przypadku tej metody, osiągalna czystość jest zależna od struktury i geometrii powierzchni oczyszczanego przedmiotu. Dodatkowy efekt uzyskiwany w tym procesie, to zoptymalizowane przygotowanie do następujących w dalsze kolejności procesów wykończenia powierzchni, na przykład zwiększona przywieralność klejów i powłok. Poza tym, powlekanie w znaczeniu technologii plazmowej – polimeryzacja plazmy – umożliwia tworzenie tak zwanych powierzchni łatwych do czyszczenia lub powierzchni zabezpieczających element przed zanieczyszczeniem podczas użytkowania. Czyszczenie plazmowe stosowane jest przykładowo w sferze obróbki metali i tworzyw sztucznych, przed powlekaniem olejem, w technologiach elektronicznych i mikrosystemowych, a także w optyce i chemii analitycznej.
Komentarze (0)